Title
Analiza związków tlenków miedzi w nadprzewodnikach wysokotemperaturowych
Authors
[ 1 ] Wydział Techniczny, Akademia im. Jakuba z Paradyża | [ P ] employee
Scientific discipline (Law 2.0)
Title variant
EN Analysis of copper oxide compounds in high-temperature superconductors
Year of publication
2022
Chapter type
chapter in monograph
Publication language
polish
Keywords
PL
- nadprzewodnictwo, nadprzewodnictwo wysokotemperaturowe, nadprzewodniki YBCO, związki tlenków miedzi, parametry komórki elementarnej
EN
- superconductivity, high‑temperature superconductivity, YBCO superconductors, copper oxide compounds, unit cell parameters
Abstract
PL W artykule opisano zjawisko nadprzewodnictwa oraz wytwarzanie związków tlenków miedzi występujących w nadprzewodnikach wysokotemperaturowych. Związki te nie są nadprzewodzące, jednak ich występowanie jest częścią całego zjawiska. Do badań użyto próbek ceramicznych (TbxY1–x)2Cu2O5,które były ogrzewane w temperaturze 1000°C. Przeprowadzono cztery mielenia oraz prasowania w celu ujednorodnienia próbek. Badania dotyczyly analizy dyfragramu, określenia widma XRD oraz zmian objętości komórki elementarnej i parametrów komórki elementarnej wraz ze wskaźnikiem terbu. Wyniki pokazały, że synteza i charakterystyka (TbxY1 – x)2Cu2O5 tlenków miedzi w całym zakresie zawartości terbu, 1≥x≥0, zostały wykonane, tworząc roztwory stałe. Tlenki miedzi domieszkowane jonami ziem rzadkich zmieniają parametry komórki elementarnej wraz ze wzrostem promienia jonowego.
EN The article describes the phenomenon of superconductivity and the production of copper oxide compounds occurring in high‑temperature superconductors. These compounds are not superconducting, but their presence is part of the whole phenomenon. Copper oxides doped with rare earth ions change the parameters of the unit cell with the increase of the ion radius
Pages (from - to)
189 - 196
Ministry points / chapter
20
This website works thanks to the software SINUS
created by Poznan Supercomputing and Networking Center
Log in to submit to SIS: